|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
IGBT-транзистор G40T60AN3H оригінал (CRG40T60AN3H) в корпусі TO-3
IGBT-транзистор для електронних пристроїв G40T60AN3H оригінал ( CRG40T60AN3H , G40T60 ), TO-3PN
Технічні характеристики
| Производитель | CRMICRO |
| Корпус | TO-3PN |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 650 V |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20 V |
| Макс. ток коллектора (25°C) | 80 А |
| Макс. ток коллектора (100°C) | 40 А |
| Макс. постоянный ток диода (100°С) | 20 А |
| Время восстановления диода (25°С/tmax) | 80 нс (typ) |
| Мощность рассеяния при 25°C | 280 Вт |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Тип упаковки | Туба |
| Стандартная упаковка | 30 шт |