|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
Польовий N-канальний транзистор (mosfet) FQD50N06
Польовий N-канальний транзистор (mosfet) високої якості FQD50N06 60В, 50А у корпусі TO252
Основні характеристики:
Тип: N-канальний MOSFET (N-Channel MOSFET).
Напруга: (Drain-Source): 50V–60V.
Струм: (Drain): 50A–100A.
Опір каналу: Дуже низький, близько 0.012 Ом (V_{GS} = 10V).
Корпус: TO-252 (DPAK).
Потужність: До 136W (за певних умов).